Bipolartransistor 2SB707

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SB707

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -60 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -80 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -7 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -7 A
  • Verlustleistung, max: 40 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 40 bis 200
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220

Pinbelegung des 2SB707

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SB707 kann eine Gleichstromverstärkung von 40 bis 200 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB707-O liegt im Bereich von 60 bis 120, die des 2SB707-R im Bereich von 40 bis 80, die des 2SB707-Y im Bereich von 100 bis 200.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB707-Transistor könnte nur mit "B707" gekennzeichnet sein.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB707 ist der 2SD568.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SB707

Sie können den Transistor 2SB707 durch einen 2SA1010, 2SB1097, 2SB708, BD204, BD304, BD536, BD538, BD798, BD800, BD802, BD808, BD810, BDT82, BDT82F, BDT84, BDT84F, BDT86, BDT86F, BDT88, BDT88F, BDT92, BDT92F, BDT94, BDT94F, BDT96, BDT96F, BDX78, KSA1010, KSB1097, KSB707, KSB708, MJE15029 oder MJE15029G ersetzen.
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