Bipolartransistor 2N6491G

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -80 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -90 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -15 A
• Verlustleistung, max: 75 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 20 bis 150
• Übergangsfrequenz, min: 5 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
• Gehäuse: TO-220
• Der 2N6491G ist die bleifreie Version des 2N6491-Transistors

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Sie können den Transistor 2N6491G durch einen 2N6491, BD744B, BD744C, BD910 oder BD912 ersetzen.