Bipolartransistor 2SB762A

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SB762A

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -80 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -80 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -4 A
  • Verlustleistung, max: 40 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 40 bis 250
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220

Pinbelegung des 2SB762A

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SB762A kann eine Gleichstromverstärkung von 40 bis 250 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB762A-P liegt im Bereich von 120 bis 250, die des 2SB762A-Q im Bereich von 70 bis 150, die des 2SB762A-R im Bereich von 40 bis 90.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB762A-Transistor könnte nur mit "B762A" gekennzeichnet sein.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB762A ist der 2SD857A.

SMD-Version des Transistors 2SB762A

Der BDP952 (SOT-223) ist die SMD-Version des 2SB762A-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SB762A

Sie können den Transistor 2SB762A durch einen 2SA1488A, 2SA771, 2SB633, 2SB942A, BD244B, BD244C, BD538, BD540B, BD540C, BD800, BD802, BD810, BD952, BD954, BD956, BDT84, BDT84F, BDT86, BDT86F, BDT88, BDT88F, BDX78, D44C10, D44C11, D44C12, D45C10, D45C11, D45C12, MJE15029, MJE15029G, MJE15031, MJE15031G, MJF15031 oder MJF15031G ersetzen.
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