Bipolartransistor BD938F

Elektrische Eigenschaften des Transistors BD938F

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -80 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -100 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -3 A
  • Verlustleistung, max: 19 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 40 bis 250
  • Übergangsfrequenz, min: 3 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220F
  • Electrically Similar to the Popular BD938 transistor

Pinbelegung des BD938F

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum BD938F ist der BD937F.

SMD-Version des Transistors BD938F

Der BDP952 (SOT-223) und BDP954 (SOT-223) ist die SMD-Version des BD938F-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BD938F

Sie können den Transistor BD938F durch einen 2SA1488A, 2SA771, 2SB633, 2SB761A, 2SB762A, 2SB942A, BD242B, BD242C, BD244B, BD244C, BD538, BD540B, BD540C, BD800, BD802, BD810, BD938, BD940, BD940F, BD942, BD942F, BD952, BD954, BD956, BDT84, BDT84F, BDT86, BDT86F, BDT88, BDT88F, BDX78, D44C10, D44C11, D44C12, D45C10, D45C11, D45C12, MJE15029, MJE15029G, MJE15031, MJE15031G, MJF15031 oder MJF15031G ersetzen.
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