Bipolartransistor BDT84F

Elektrische Eigenschaften des Transistors BDT84F

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -80 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -80 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -7 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -15 A
  • Verlustleistung, max: 36 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 40
  • Übergangsfrequenz, min: 20 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220F

Pinbelegung des BDT84F

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum BDT84F ist der BDT83F.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BDT84F

Sie können den Transistor BDT84F durch einen BD546B, BD546C, BDT84, BDT86, BDT86F, BDT88, BDT88F, BDW46, BDW46G, BDW47, BDW47G, BDW48, MJF6668 oder MJF6668G ersetzen.
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