Bipolartransistor NTE153
Elektrische Eigenschaften des Transistors NTE153
- Typ: PNP
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: -90 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: -90 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -4 A
- Verlustleistung, max: 40 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 40 bis 200
- Übergangsfrequenz, min: 3 MHz
- Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
- Gehäuse: TO-220
Pinbelegung des NTE153
Komplementärer NPN-Transistor
Ersatz und Äquivalent für Transistor NTE153
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