Bipolartransistor NTE153

Elektrische Eigenschaften des Transistors NTE153

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -90 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -90 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -4 A
  • Verlustleistung, max: 40 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 40 bis 200
  • Übergangsfrequenz, min: 3 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220

Pinbelegung des NTE153

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum NTE153 ist der NTE152.

Ersatz und Äquivalent für Transistor NTE153

Sie können den Transistor NTE153 durch einen 2SA1010, 2SB1016, 2SB1090, 2SB1367, 2SB595, 2SB703A, 2SB995, BD244C, BD540C, BD802, BD954, BD956, BDT86, BDT86F, BDT88, BDT88F, BDT96, BDT96F, KSA1010, KTB1367, MJE15029, MJE15029G, MJE15031, MJE15031G, MJF15031 oder MJF15031G ersetzen.
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