Bipolartransistor KSB1017

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -80 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -80 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -4 A
• Verlustleistung, max: 25 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 40 bis 240
• Übergangsfrequenz, min: 9 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-220F
• Electrically Similar to the Popular 2SB1017 transistor

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor KSB1017 kann eine Gleichstromverstärkung von 40 bis 240 haben. Die Gleichstromverstärkung des KSB1017-O liegt im Bereich von 70 bis 140, die des KSB1017-R im Bereich von 40 bis 80, die des KSB1017-Y im Bereich von 120 bis 240.Der komplementäre NPN-Transistor zum KSB1017 ist der KSD1408.Der BDP952 (SOT-223) ist die SMD-Version des KSB1017-Transistors.Sie können den Transistor KSB1017 durch einen 2SA1488A, 2SA771, 2SB1016, 2SB1017, 2SB1367, 2SB1368, 2SB595, 2SB596, 2SB633, 2SB762A, 2SB942A, 2SB995, 2SB996, BD244B, BD244C, BD538, BD540B, BD540C, BD800, BD802, BD810, BD952, BD954, BD956, BDT84, BDT84F, BDT86, BDT86F, BDT88, BDT88F, BDX78, D44C10, D44C11, D44C12, D45C10, D45C11, D45C12, KSB596, KTB1367, KTB1368, MJE15029, MJE15029G, MJE15031, MJE15031G, MJF15031 oder MJF15031G ersetzen.