Bipolartransistor 2SB762

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -60 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -60 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -4 A
• Verlustleistung, max: 40 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 40 bis 250
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-220

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor 2SB762 kann eine Gleichstromverstärkung von 40 bis 250 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB762-P liegt im Bereich von 120 bis 250, die des 2SB762-Q im Bereich von 70 bis 150, die des 2SB762-R im Bereich von 40 bis 90.Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB762-Transistor könnte nur mit "B762" gekennzeichnet sein.Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB762 ist der 2SD857.Sie können den Transistor 2SB762 durch einen 2SA1262, 2SA1488, 2SA1488A, 2SA770, 2SA771, 2SB633, 2SB762A, 2SB942, 2SB942A, BD204, BD244A, BD244B, BD244C, BD304, BD536, BD538, BD540A, BD540B, BD540C, BD798, BD800, BD802, BD808, BD810, BD950, BD952, BD954, BD956, BDT82, BDT82F, BDT84, BDT84F, BDT86, BDT86F, BDT88, BDT88F, BDX78, D44C10, D44C11, D44C12, D44C7, D44C8, D44C9, D45C10, D45C11, D45C12, D45C7, D45C8, D45C9, MJE15029 oder MJE15029G ersetzen.