Bipolartransistor KSA1010

Elektrische Eigenschaften des Transistors KSA1010

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -100 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -100 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -7 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -7 A
  • Verlustleistung, max: 40 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 40 bis 200
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220
  • Electrically Similar to the Popular 2SA1010 transistor

Pinbelegung des KSA1010

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor KSA1010 kann eine Gleichstromverstärkung von 40 bis 200 haben. Die Gleichstromverstärkung des KSA1010O liegt im Bereich von 60 bis 120, die des KSA1010R im Bereich von 40 bis 80, die des KSA1010Y im Bereich von 100 bis 200.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum KSA1010 ist der KSC2334.

Ersatz und Äquivalent für Transistor KSA1010

Sie können den Transistor KSA1010 durch einen 2SA1010, BD802, BDT86, BDT86F, BDT88, BDT88F, BDT96, BDT96F, MJE15029, MJE15029G, MJE15031, MJE15031G, MJF15031 oder MJF15031G ersetzen.
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