Bipolartransistor BD710

Elektrische Eigenschaften des Transistors BD710

Typ: PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max: -80 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: -80 V
Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -12 A
Verlustleistung, max: 75 W
Gleichstromverstärkung (h_fe): 15 bis 150
Übergangsfrequenz, min: 3 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
Gehäuse: TO-220

Pinbelegung des BD710

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum BD710 ist der BD709.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BD710

Sie können den Transistor BD710 durch einen BD712, BD910 oder BD912 ersetzen.

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