Bipolartransistor 2SB633

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -85 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -100 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -6 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -6 A
• Verlustleistung, max: 40 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 40 bis 320
• Übergangsfrequenz, min: 5 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-220

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor 2SB633 kann eine Gleichstromverstärkung von 40 bis 320 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB633-C liegt im Bereich von 40 bis 80, die des 2SB633-D im Bereich von 60 bis 120, die des 2SB633-E im Bereich von 100 bis 200, die des 2SB633-F im Bereich von 160 bis 320.Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB633-Transistor könnte nur mit "B633" gekennzeichnet sein.Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB633 ist der 2SD613.Der BDP954 (SOT-223) ist die SMD-Version des 2SB633-Transistors.Sie können den Transistor 2SB633 durch einen BD244C, BD802, BDT86, BDT86F, BDT88, BDT88F, MJE15029, MJE15029G, MJE15031, MJE15031G, MJF15031 oder MJF15031G ersetzen.