Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SB858-B
Typ: PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max: -60 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: -70 V
Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -4 A
Verlustleistung, max: 40 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 60 bis 120
Übergangsfrequenz, min: 15 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -45 to +150 °C
Gehäuse: TO-220
Pinbelegung des 2SB858-B
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SB858-B kann eine Gleichstromverstärkung von 60 bis 120 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB858 liegt im Bereich von 60 bis 320, die des 2SB858-C im Bereich von 100 bis 200, die des 2SB858-D im Bereich von 160 bis 320.
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB858-B-Transistor könnte nur mit "B858-B" gekennzeichnet sein.
Komplementärer NPN-Transistor
Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB858-B ist der 2SD1134-B.