Bipolartransistor 2SB1016

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -100 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -100 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -5 A
• Verlustleistung, max: 30 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 40 bis 240
• Übergangsfrequenz, min: 5 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-220F

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor 2SB1016 kann eine Gleichstromverstärkung von 40 bis 240 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB1016-O liegt im Bereich von 70 bis 140, die des 2SB1016-R im Bereich von 40 bis 80, die des 2SB1016-Y im Bereich von 120 bis 240.Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB1016-Transistor könnte nur mit "B1016" gekennzeichnet sein.Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB1016 ist der 2SD1407.Der BDP954 (SOT-223) ist die SMD-Version des 2SB1016-Transistors.Sie können den Transistor 2SB1016 durch einen 2SB1367, 2SB595, 2SB995, BD244C, BD540C, BD802, BD954, BD956, BDT86, BDT86F, BDT88, BDT88F, KTB1367, MJE15029, MJE15029G, MJE15031, MJE15031G, MJF15031 oder MJF15031G ersetzen.