Bipolartransistor NTE197

Elektrische Eigenschaften des Transistors NTE197

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -70 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -80 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -7 A
  • Verlustleistung, max: 40 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 30 bis 150
  • Übergangsfrequenz, min: 4 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220

Pinbelegung des NTE197

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum NTE197 ist der NTE196.

Ersatz und Äquivalent für Transistor NTE197

Sie können den Transistor NTE197 durch einen 2N6107, 2N6107G, 2N6110, 2N6491, 2N6491G, BD710, BD712, BD744B, BD744C, BD800, BD802, BD810, BD910, BD912, BDT94, BDT94F, BDT96, BDT96F oder BDX78 ersetzen.
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