Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SB708-O
Typ: PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max: -80 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: -80 V
Emitter-Basis-Spannung, max: -7 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -7 A
Verlustleistung, max: 40 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 60 bis 120
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-220
Pinbelegung des 2SB708-O
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SB708-O kann eine Gleichstromverstärkung von 60 bis 120 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB708 liegt im Bereich von 40 bis 200, die des 2SB708-R im Bereich von 40 bis 80, die des 2SB708-Y im Bereich von 100 bis 200.
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB708-O-Transistor könnte nur mit "B708-O" gekennzeichnet sein.
Komplementärer NPN-Transistor
Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB708-O ist der 2SD569-L.
