Bipolartransistor 2SB596

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SB596

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -80 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -80 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -4 A
  • Verlustleistung, max: 30 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 40 bis 240
  • Übergangsfrequenz, min: 8 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220

Pinbelegung des 2SB596

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SB596 kann eine Gleichstromverstärkung von 40 bis 240 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB596-O liegt im Bereich von 70 bis 140, die des 2SB596-R im Bereich von 40 bis 80, die des 2SB596-Y im Bereich von 120 bis 240.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB596-Transistor könnte nur mit "B596" gekennzeichnet sein.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB596 ist der 2SD526.

SMD-Version des Transistors 2SB596

Der BDP952 (SOT-223) ist die SMD-Version des 2SB596-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SB596

Sie können den Transistor 2SB596 durch einen 2SA1488A, 2SA771, 2SB1016, 2SB1017, 2SB1367, 2SB1368, 2SB595, 2SB633, 2SB762A, 2SB942A, 2SB995, 2SB996, BD244B, BD244C, BD538, BD540B, BD540C, BD800, BD802, BD810, BD952, BD954, BD956, BDT84, BDT84F, BDT86, BDT86F, BDT88, BDT88F, BDX78, D44C10, D44C11, D44C12, D45C10, D45C11, D45C12, KSB1017, KSB596, KTB1367, KTB1368, MJE15029, MJE15029G, MJE15031, MJE15031G, MJF15031 oder MJF15031G ersetzen.
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