Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SB633-D
Typ: PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max: -85 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: -100 V
Emitter-Basis-Spannung, max: -6 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -6 A
Verlustleistung, max: 40 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 60 bis 120
Übergangsfrequenz, min: 5 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-220
Pinbelegung des 2SB633-D
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SB633-D kann eine Gleichstromverstärkung von 60 bis 120 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB633 liegt im Bereich von 40 bis 320, die des 2SB633-C im Bereich von 40 bis 80, die des 2SB633-E im Bereich von 100 bis 200, die des 2SB633-F im Bereich von 160 bis 320.
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB633-D-Transistor könnte nur mit "B633-D" gekennzeichnet sein.
Komplementärer NPN-Transistor
Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB633-D ist der 2SD613-D.
SMD-Version des Transistors 2SB633-D
Der BDP954 (SOT-223) ist die SMD-Version des 2SB633-D-Transistors.
