Bipolartransistor KSA1010O

Elektrische Eigenschaften des Transistors KSA1010O

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -100 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -100 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -7 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -7 A
  • Verlustleistung, max: 40 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 60 bis 120
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220
  • Electrically Similar to the Popular 2SA1010L transistor

Pinbelegung des KSA1010O

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor KSA1010O kann eine Gleichstromverstärkung von 60 bis 120 haben. Die Gleichstromverstärkung des KSA1010 liegt im Bereich von 40 bis 200, die des KSA1010R im Bereich von 40 bis 80, die des KSA1010Y im Bereich von 100 bis 200.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum KSA1010O ist der KSC2334O.

Ersatz und Äquivalent für Transistor KSA1010O

Sie können den Transistor KSA1010O durch einen 2SA1010, 2SA1010L, 2SA1077, BD544C, BD546C, BD712, BD744C, BD802, BD912, BDT86, BDT86F, BDT88, BDT88F, BDT96, BDT96F, MJE15029, MJE15029G, MJE15031, MJE15031G, MJF15031 oder MJF15031G ersetzen.
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