Bipolartransistor KSA1010O
Elektrische Eigenschaften des Transistors KSA1010O
- Typ: PNP
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: -100 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: -100 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: -7 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -7 A
- Verlustleistung, max: 40 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 60 bis 120
- Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
- Gehäuse: TO-220
- Electrically Similar to the Popular 2SA1010L transistor
Pinbelegung des KSA1010O
Klassifizierung von hFE
Komplementärer NPN-Transistor
Ersatz und Äquivalent für Transistor KSA1010O
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