Bipolartransistor BDT84

Elektrische Eigenschaften des Transistors BDT84

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -80 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -80 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -7 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -15 A
  • Verlustleistung, max: 125 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 40
  • Übergangsfrequenz, min: 20 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220

Pinbelegung des BDT84

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum BDT84 ist der BDT83.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BDT84

Sie können den Transistor BDT84 durch einen BD546B, BD546C, BDT84F, BDT86, BDT86F, BDT88, BDT88F, BDW46, BDW46G, BDW47, BDW47G, BDW48, MJF6668 oder MJF6668G ersetzen.
Wenn Sie einen Fehler finden, senden Sie bitte eine E-Mail an mail@el-component.com