Bipolartransistor BD940

Elektrische Eigenschaften des Transistors BD940

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -100 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -120 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -3 A
  • Verlustleistung, max: 30 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 40 bis 250
  • Übergangsfrequenz, min: 3 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220

Pinbelegung des BD940

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum BD940 ist der BD939.

SMD-Version des Transistors BD940

Der BDP954 (SOT-223) und BDP956 (SOT-223) ist die SMD-Version des BD940-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BD940

Sie können den Transistor BD940 durch einen BD242C, BD244C, BD540C, BD802, BD940F, BD942, BD942F, BD954, BD956, BDT86, BDT86F, BDT88, BDT88F, MJE15029, MJE15029G, MJE15031, MJE15031G, MJF15031 oder MJF15031G ersetzen.
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