Bipolartransistor KSB707

Elektrische Eigenschaften des Transistors KSB707

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -60 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -80 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -7 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -7 A
  • Verlustleistung, max: 40 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 40 bis 200
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220
  • Electrically Similar to the Popular 2SB707 transistor

Pinbelegung des KSB707

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor KSB707 kann eine Gleichstromverstärkung von 40 bis 200 haben. Die Gleichstromverstärkung des KSB707-O liegt im Bereich von 60 bis 120, die des KSB707-R im Bereich von 40 bis 80, die des KSB707-Y im Bereich von 100 bis 200.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum KSB707 ist der KSD568.

Ersatz und Äquivalent für Transistor KSB707

Sie können den Transistor KSB707 durch einen 2SA1010, 2SB1097, 2SB707, 2SB708, BD204, BD304, BD536, BD538, BD798, BD800, BD802, BD808, BD810, BDT82, BDT82F, BDT84, BDT84F, BDT86, BDT86F, BDT88, BDT88F, BDT92, BDT92F, BDT94, BDT94F, BDT96, BDT96F, BDX78, KSA1010, KSB1097, KSB708, MJE15029 oder MJE15029G ersetzen.
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