Bipolartransistor 2SB870

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -80 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -130 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -7 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -7 A
• Verlustleistung, max: 40 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 60 bis 260
• Übergangsfrequenz, min: 30 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-220

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor 2SB870 kann eine Gleichstromverstärkung von 60 bis 260 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB870-P liegt im Bereich von 130 bis 260, die des 2SB870-Q im Bereich von 90 bis 180, die des 2SB870-R im Bereich von 60 bis 120.Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB870-Transistor könnte nur mit "B870" gekennzeichnet sein.Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB870 ist der 2SD866.Sie können den Transistor 2SB870 durch einen 2SB946, BD538, BD544B, BD544C, BD546B, BD546C, BD800, BD802, BD810, BDT84, BDT84F, BDT86, BDT86F, BDT88, BDT88F, BDX78, D45H11, D45H11FP, MJE15029, MJE15029G, MJE15031, MJE15031G, MJF15031 oder MJF15031G ersetzen.