Bipolartransistor 2N6110

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2N6110

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -70 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -80 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -7 A
  • Verlustleistung, max: 40 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 30 bis 150
  • Übergangsfrequenz, min: 10 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220

Pinbelegung des 2N6110

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2N6110 ist der 2N6289.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2N6110

Sie können den Transistor 2N6110 durch einen 2N6107, 2N6107G, 2N6491, 2N6491G, BD710, BD712, BD744B, BD744C, BD800, BD802, BD810, BD910, BD912, BDT94, BDT94F, BDT96, BDT96F, BDX78 oder NTE197 ersetzen.
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