Bipolartransistor 2SB1367

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SB1367

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -100 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -100 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -5 A
  • Verlustleistung, max: 30 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 40 bis 240
  • Übergangsfrequenz, min: 5 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220F

Pinbelegung des 2SB1367

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SB1367 kann eine Gleichstromverstärkung von 40 bis 240 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB1367-O liegt im Bereich von 70 bis 140, die des 2SB1367-R im Bereich von 40 bis 80, die des 2SB1367-Y im Bereich von 120 bis 240.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB1367-Transistor könnte nur mit "B1367" gekennzeichnet sein.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB1367 ist der 2SD2059.

SMD-Version des Transistors 2SB1367

Der BDP954 (SOT-223) ist die SMD-Version des 2SB1367-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SB1367

Sie können den Transistor 2SB1367 durch einen 2SB1016, 2SB595, 2SB995, BD244C, BD540C, BD802, BD954, BD956, BDT86, BDT86F, BDT88, BDT88F, KTB1367, MJE15029, MJE15029G, MJE15031, MJE15031G, MJF15031 oder MJF15031G ersetzen.
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