Bipolartransistor 2N6475

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2N6475

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -100 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -110 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -4 A
  • Verlustleistung, max: 40 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 15 bis 150
  • Übergangsfrequenz, min: 5 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220

Pinbelegung des 2N6475

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2N6475 ist der 2N6473.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2N6475

Sie können den Transistor 2N6475 durch einen 2N6476, BD712, BD912 oder NTE292 ersetzen.
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