Bipolartransistor KTB1367
Elektrische Eigenschaften des Transistors KTB1367
- Typ: PNP
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: -100 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: -100 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -5 A
- Verlustleistung, max: 30 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 40 bis 240
- Übergangsfrequenz, min: 5 MHz
- Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
- Gehäuse: TO-220F
- Electrically Similar to the Popular 2SB1367 transistor
Pinbelegung des KTB1367
Klassifizierung von hFE
Komplementärer NPN-Transistor
SMD-Version des Transistors KTB1367
Ersatz und Äquivalent für Transistor KTB1367
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