Bipolartransistor KTB1367

Elektrische Eigenschaften des Transistors KTB1367

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -100 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -100 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -5 A
  • Verlustleistung, max: 30 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 40 bis 240
  • Übergangsfrequenz, min: 5 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220F
  • Electrically Similar to the Popular 2SB1367 transistor

Pinbelegung des KTB1367

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor KTB1367 kann eine Gleichstromverstärkung von 40 bis 240 haben. Die Gleichstromverstärkung des KTB1367O liegt im Bereich von 70 bis 140, die des KTB1367R im Bereich von 40 bis 80, die des KTB1367Y im Bereich von 120 bis 240.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum KTB1367 ist der KTD2059.

SMD-Version des Transistors KTB1367

Der BDP954 (SOT-223) ist die SMD-Version des KTB1367-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor KTB1367

Sie können den Transistor KTB1367 durch einen 2SB1016, 2SB1367, 2SB595, 2SB995, BD244C, BD540C, BD802, BD954, BD956, BDT86, BDT86F, BDT88, BDT88F, MJE15029, MJE15029G, MJE15031, MJE15031G, MJF15031 oder MJF15031G ersetzen.
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