Bipolartransistor 2SB945-R

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SB945-R

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -80 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -130 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -7 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -5 A
  • Verlustleistung, max: 40 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 60 bis 120
  • Übergangsfrequenz, min: 30 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220F

Pinbelegung des 2SB945-R

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SB945-R kann eine Gleichstromverstärkung von 60 bis 120 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB945 liegt im Bereich von 60 bis 260, die des 2SB945-P im Bereich von 130 bis 260, die des 2SB945-Q im Bereich von 90 bis 180.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB945-R-Transistor könnte nur mit "B945-R" gekennzeichnet sein.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB945-R ist der 2SD1270-R.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SB945-R

Sie können den Transistor 2SB945-R durch einen 2N6491, 2N6491G, 2SA1010, 2SA1010L, 2SA1077, 2SA1725, 2SA1726, 2SA771, 2SB1016, 2SB1367, 2SB595, 2SB633, 2SB633-D, 2SB708, 2SB708-O, 2SB747, 2SB747-Q, 2SB870, 2SB870-R, 2SB946, 2SB946-R, 2SB995, BD244B, BD244C, BD538, BD540B, BD540C, BD544B, BD544C, BD546B, BD546C, BD710, BD712, BD744B, BD744C, BD800, BD802, BD810, BD910, BD912, BD952, BD954, BD956, BDT84, BDT84F, BDT86, BDT86F, BDT88, BDT88F, BDT94, BDT94F, BDT96, BDT96F, BDX78, D45H11, D45H11FP, KSA1010, KSA1010O, KSB708, KSB708-O, KTB1367, MJE15029, MJE15029G, MJE15031, MJE15031G, MJF15031 oder MJF15031G ersetzen.
Wenn Sie einen Fehler finden, senden Sie bitte eine E-Mail an mail@el-component.com