Bipolartransistor KSB707-O

Elektrische Eigenschaften des Transistors KSB707-O

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -60 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -80 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -7 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -7 A
  • Verlustleistung, max: 40 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 60 bis 120
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220
  • Electrically Similar to the Popular 2SB707-O transistor

Pinbelegung des KSB707-O

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor KSB707-O kann eine Gleichstromverstärkung von 60 bis 120 haben. Die Gleichstromverstärkung des KSB707 liegt im Bereich von 40 bis 200, die des KSB707-R im Bereich von 40 bis 80, die des KSB707-Y im Bereich von 100 bis 200.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum KSB707-O ist der KSD568-O.

Ersatz und Äquivalent für Transistor KSB707-O

Sie können den Transistor KSB707-O durch einen 2N6107, 2N6107G, 2N6110, 2N6490, 2N6490G, 2N6491, 2N6491G, 2SA1010, 2SA1010L, 2SA1077, 2SB1097, 2SB707, 2SB707-O, 2SB708, 2SB708-O, 2SB870, 2SB870-R, 2SB946, 2SB946-R, BD204, BD304, BD536, BD538, BD544A, BD544B, BD544C, BD546A, BD546B, BD546C, BD708, BD710, BD712, BD744A, BD744B, BD744C, BD798, BD800, BD802, BD808, BD810, BD908, BD910, BD912, BDT82, BDT82F, BDT84, BDT84F, BDT86, BDT86F, BDT88, BDT88F, BDT92, BDT92F, BDT94, BDT94F, BDT96, BDT96F, BDX78, D45H11, D45H11FP, D45H8, KSA1010, KSA1010O, KSB1097, KSB708, KSB708-O, MJE15029, MJE15029G oder NTE197 ersetzen.
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