Bipolartransistor KSB1097

Elektrische Eigenschaften des Transistors KSB1097

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -60 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -80 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -7 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -7 A
  • Verlustleistung, max: 30 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 40 bis 200
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220F
  • Electrically Similar to the Popular 2SB1097 transistor

Pinbelegung des KSB1097

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor KSB1097 kann eine Gleichstromverstärkung von 40 bis 200 haben. Die Gleichstromverstärkung des KSB1097-O liegt im Bereich von 80 bis 120, die des KSB1097-R im Bereich von 40 bis 80, die des KSB1097-Y im Bereich von 100 bis 200.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum KSB1097 ist der KSD1588.

Ersatz und Äquivalent für Transistor KSB1097

Sie können den Transistor KSB1097 durch einen 2SA1010, 2SB1097, 2SB707, 2SB708, BD204, BD304, BD536, BD538, BD798, BD800, BD802, BD808, BD810, BDT82, BDT82F, BDT84, BDT84F, BDT86, BDT86F, BDT88, BDT88F, BDT92, BDT92F, BDT94, BDT94F, BDT96, BDT96F, BDX78, KSA1010, KSB707, KSB708, MJE15029 oder MJE15029G ersetzen.
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