Bipolartransistor KTB988

Elektrische Eigenschaften des Transistors KTB988

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -60 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -60 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -7 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -3 A
  • Verlustleistung, max: 30 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 60 bis 300
  • Übergangsfrequenz, min: 9 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220

Pinbelegung des KTB988

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor KTB988 kann eine Gleichstromverstärkung von 60 bis 300 haben. Die Gleichstromverstärkung des KTB988GR liegt im Bereich von 150 bis 300, die des KTB988O im Bereich von 60 bis 120, die des KTB988Y im Bereich von 100 bis 200.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum KTB988 ist der KTD1351.

Ersatz und Äquivalent für Transistor KTB988

Sie können den Transistor KTB988 durch einen 2SA1262, 2SA1488, 2SA1488A, 2SA1634, 2SA1635, 2SA770, 2SA771, 2SB1187, 2SB507, 2SB633, 2SB834, 2SB858, BD204, BD242A, BD242B, BD242C, BD244A, BD244B, BD244C, BD304, BD536, BD538, BD540A, BD540B, BD540C, BD544A, BD544B, BD544C, BD546A, BD546B, BD546C, BD798, BD800, BD802, BD808, BD810, BD950, BD952, BD954, BD956, BDT82, BDT82F, BDT84, BDT84F, BDT86, BDT86F, BDT88, BDT88F, BDX78, D44C10, D44C11, D44C12, D44C7, D44C8, D44C9, D45C10, D45C11, D45C12, D45C7, D45C8, D45C9, D45H11, D45H11FP, D45H8, MJE15029 oder MJE15029G ersetzen.
Wenn Sie einen Fehler finden, senden Sie bitte eine E-Mail an mail@el-component.com