Bipolartransistor 2SB945

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SB945

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -80 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -130 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -7 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -5 A
  • Verlustleistung, max: 40 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 60 bis 260
  • Übergangsfrequenz, min: 30 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220F

Pinbelegung des 2SB945

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SB945 kann eine Gleichstromverstärkung von 60 bis 260 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB945-P liegt im Bereich von 130 bis 260, die des 2SB945-Q im Bereich von 90 bis 180, die des 2SB945-R im Bereich von 60 bis 120.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB945-Transistor könnte nur mit "B945" gekennzeichnet sein.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB945 ist der 2SD1270.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SB945

Sie können den Transistor 2SB945 durch einen 2SA771, 2SB633, 2SB870, 2SB946, BD244B, BD244C, BD538, BD540B, BD540C, BD544B, BD544C, BD546B, BD546C, BD800, BD802, BD810, BD952, BD954, BD956, BDT84, BDT84F, BDT86, BDT86F, BDT88, BDT88F, BDX78, D45H11, D45H11FP, MJE15029, MJE15029G, MJE15031, MJE15031G, MJF15031 oder MJF15031G ersetzen.
Wenn Sie einen Fehler finden, senden Sie bitte eine E-Mail an mail@el-component.com