Bipolartransistor 2SB703

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SB703

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -80 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -100 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -4 A
  • Verlustleistung, max: 40 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 40 bis 200
  • Übergangsfrequenz, min: 10 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220

Pinbelegung des 2SB703

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SB703 kann eine Gleichstromverstärkung von 40 bis 200 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB703-Q liegt im Bereich von 100 bis 200, die des 2SB703-R im Bereich von 60 bis 120, die des 2SB703-S im Bereich von 40 bis 80.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB703-Transistor könnte nur mit "B703" gekennzeichnet sein.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB703 ist der 2SD743.

SMD-Version des Transistors 2SB703

Der BDP952 (SOT-223) und BDP954 (SOT-223) ist die SMD-Version des 2SB703-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SB703

Sie können den Transistor 2SB703 durch einen 2SA1010, 2SA1488A, 2SA771, 2SB1016, 2SB1017, 2SB1090, 2SB1367, 2SB1368, 2SB595, 2SB596, 2SB633, 2SB703A, 2SB708, 2SB747, 2SB762A, 2SB942A, 2SB995, 2SB996, BD244B, BD244C, BD538, BD540B, BD540C, BD800, BD802, BD810, BD952, BD954, BD956, BDT84, BDT84F, BDT86, BDT86F, BDT88, BDT88F, BDT94, BDT94F, BDT96, BDT96F, BDX78, D44C10, D44C11, D44C12, D45C10, D45C11, D45C12, KSA1010, KSB1017, KSB596, KSB708, KTB1367, KTB1368, MJE15029, MJE15029G, MJE15031, MJE15031G, MJF15031, MJF15031G oder NTE153 ersetzen.
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