Bipolartransistor 2SB1090

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SB1090

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -100 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -100 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -7 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -4 A
  • Verlustleistung, max: 40 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 40 bis 200
  • Übergangsfrequenz, min: 20 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220

Pinbelegung des 2SB1090

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SB1090 kann eine Gleichstromverstärkung von 40 bis 200 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB1090-K liegt im Bereich von 100 bis 200, die des 2SB1090-L im Bereich von 80 bis 120, die des 2SB1090-M im Bereich von 40 bis 80.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB1090-Transistor könnte nur mit "B1090" gekennzeichnet sein.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB1090 ist der 2SD1568.

SMD-Version des Transistors 2SB1090

Der BDP954 (SOT-223) ist die SMD-Version des 2SB1090-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SB1090

Sie können den Transistor 2SB1090 durch einen 2SA1010, 2SB1016, 2SB1367, 2SB595, 2SB703A, 2SB995, BD244C, BD540C, BD802, BD954, BD956, BDT86, BDT86F, BDT88, BDT88F, BDT96, BDT96F, KSA1010, KTB1367, MJE15029, MJE15029G, MJE15031, MJE15031G, MJF15031 oder MJF15031G ersetzen.
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