Bipolartransistor 2SB747

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -80 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -80 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -5 A
• Verlustleistung, max: 40 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 40 bis 200
• Übergangsfrequenz, min: 7 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-220

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor 2SB747 kann eine Gleichstromverstärkung von 40 bis 200 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB747-P liegt im Bereich von 100 bis 200, die des 2SB747-Q im Bereich von 60 bis 120, die des 2SB747-R im Bereich von 40 bis 80.Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB747-Transistor könnte nur mit "B747" gekennzeichnet sein.Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB747 ist der 2SD812.Der BDP952 (SOT-223) ist die SMD-Version des 2SB747-Transistors.Sie können den Transistor 2SB747 durch einen 2SA1010, 2SA771, 2SB1016, 2SB1367, 2SB595, 2SB633, 2SB708, 2SB995, BD244B, BD244C, BD538, BD540B, BD540C, BD800, BD802, BD810, BD952, BD954, BD956, BDT84, BDT84F, BDT86, BDT86F, BDT88, BDT88F, BDT94, BDT94F, BDT96, BDT96F, BDX78, KSA1010, KSB708, KTB1367, MJE15029, MJE15029G, MJE15031, MJE15031G, MJF15031 oder MJF15031G ersetzen.