Bipolartransistor KSB708

Elektrische Eigenschaften des Transistors KSB708

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -80 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -80 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -7 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -7 A
  • Verlustleistung, max: 40 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 40 bis 200
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220
  • Electrically Similar to the Popular 2SB708 transistor

Pinbelegung des KSB708

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor KSB708 kann eine Gleichstromverstärkung von 40 bis 200 haben. Die Gleichstromverstärkung des KSB708-O liegt im Bereich von 60 bis 120, die des KSB708-R im Bereich von 40 bis 80, die des KSB708-Y im Bereich von 100 bis 200.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum KSB708 ist der KSD569.

Ersatz und Äquivalent für Transistor KSB708

Sie können den Transistor KSB708 durch einen 2SA1010, 2SB708, BD538, BD800, BD802, BD810, BDT84, BDT84F, BDT86, BDT86F, BDT88, BDT88F, BDT94, BDT94F, BDT96, BDT96F, BDX78, KSA1010, MJE15029, MJE15029G, MJE15031, MJE15031G, MJF15031 oder MJF15031G ersetzen.
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