Bipolartransistor 2SB703A-R

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SB703A-R

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -100 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -100 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -4 A
  • Verlustleistung, max: 40 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 60 bis 120
  • Übergangsfrequenz, min: 10 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220

Pinbelegung des 2SB703A-R

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SB703A-R kann eine Gleichstromverstärkung von 60 bis 120 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB703A liegt im Bereich von 40 bis 200, die des 2SB703A-Q im Bereich von 100 bis 200, die des 2SB703A-S im Bereich von 40 bis 80.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB703A-R-Transistor könnte nur mit "B703A-R" gekennzeichnet sein.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB703A-R ist der 2SD743A-R.

SMD-Version des Transistors 2SB703A-R

Der BDP954 (SOT-223) ist die SMD-Version des 2SB703A-R-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SB703A-R

Sie können den Transistor 2SB703A-R durch einen 2N6475, 2N6476, 2SA1010, 2SA1010L, 2SA1077, 2SB1016, 2SB1090, 2SB1367, 2SB595, 2SB995, BD244C, BD540C, BD544C, BD546C, BD712, BD744C, BD802, BD912, BD954, BD956, BDT86, BDT86F, BDT88, BDT88F, BDT96, BDT96F, KSA1010, KSA1010O, KTB1367, MJE15029, MJE15029G, MJE15031, MJE15031G, MJF15031, MJF15031G oder NTE292 ersetzen.
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