Bipolartransistor 2SB1097

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SB1097

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -60 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -80 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -7 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -7 A
  • Verlustleistung, max: 30 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 40 bis 200
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220F

Pinbelegung des 2SB1097

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SB1097 kann eine Gleichstromverstärkung von 40 bis 200 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB1097-K liegt im Bereich von 100 bis 200, die des 2SB1097-L im Bereich von 80 bis 120, die des 2SB1097-M im Bereich von 40 bis 80.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB1097-Transistor könnte nur mit "B1097" gekennzeichnet sein.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB1097 ist der 2SD1588.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SB1097

Sie können den Transistor 2SB1097 durch einen 2SA1010, 2SB707, 2SB708, BD204, BD304, BD536, BD538, BD798, BD800, BD802, BD808, BD810, BDT82, BDT82F, BDT84, BDT84F, BDT86, BDT86F, BDT88, BDT88F, BDT92, BDT92F, BDT94, BDT94F, BDT96, BDT96F, BDX78, KSA1010, KSB1097, KSB707, KSB708, MJE15029 oder MJE15029G ersetzen.
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