Bipolartransistor BD711

Elektrische Eigenschaften des Transistors BD711

Typ: NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max: 100 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: 100 V
Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 12 A
Verlustleistung, max: 75 W
Gleichstromverstärkung (h_fe): 15 bis 150
Übergangsfrequenz, min: 3 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
Gehäuse: TO-220

Pinbelegung des BD711

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum BD711 ist der BD712.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BD711

Sie können den Transistor BD711 durch einen BD911 ersetzen.

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