Bipolartransistor 2SD812-Q

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SD812-Q

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 80 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 80 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 5 A
  • Verlustleistung, max: 40 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 60 bis 120
  • Übergangsfrequenz, min: 15 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220

Pinbelegung des 2SD812-Q

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SD812-Q kann eine Gleichstromverstärkung von 60 bis 120 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SD812 liegt im Bereich von 40 bis 200, die des 2SD812-P im Bereich von 100 bis 200, die des 2SD812-R im Bereich von 40 bis 80.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SD812-Q-Transistor könnte nur mit "D812-Q" gekennzeichnet sein.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SD812-Q ist der 2SB747-Q.

SMD-Version des Transistors 2SD812-Q

Der BDP951 (SOT-223) ist die SMD-Version des 2SD812-Q-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SD812-Q

Sie können den Transistor 2SD812-Q durch einen 2N6488, 2N6488G, 2SC1986, 2SC2334, 2SC2527, 2SC4511, 2SC4512, 2SD1270, 2SD1270-R, 2SD1271, 2SD1271-R, 2SD1274, 2SD1274A, 2SD1274B, 2SD1355, 2SD1407, 2SD1407A, 2SD2059, 2SD363, 2SD525, 2SD569, 2SD569-L, 2SD613, 2SD613-D, 2SD772, 2SD792, 2SD823, 2SD866, 2SD866-R, 2SD866A, 2SD866A-R, BD243B, BD243C, BD537, BD539B, BD539C, BD539D, BD543B, BD543C, BD545B, BD545C, BD709, BD711, BD743B, BD743C, BD799, BD801, BD809, BD909, BD911, BD951, BD953, BD955, BDT83, BDT83F, BDT85, BDT85F, BDT87, BDT87F, BDT93, BDT93F, BDT95, BDT95F, BDX77, D44H11, D44H11FP, KSC2334, KSD363, KSD569, KSD569-O, KTD2059, MJE15028, MJE15028G, MJE15030, MJE15030G, MJF15030, MJF15030G, TIP41D, TIP41E, TIP41F, TIP42D, TIP42E oder TIP42F ersetzen.
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