Bipolartransistor NTE196

• Typ: NPN
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: 70 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: 80 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 7 A
• Verlustleistung, max: 40 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 30 bis 150
• Übergangsfrequenz, min: 4 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
• Gehäuse: TO-220

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der komplementäre PNP-Transistor zum NTE196 ist der NTE197.Sie können den Transistor NTE196 durch einen 2N6292, 2N6292G, 2N6293, 2N6488, 2N6488G, BD709, BD711, BD743B, BD743C, BD799, BD801, BD809, BD909, BD911, BDT93, BDT93F, BDT95, BDT95F oder BDX77 ersetzen.