Bipolartransistor 2N6473

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2N6473

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 100 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 110 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 4 A
  • Verlustleistung, max: 40 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 15 bis 150
  • Übergangsfrequenz, min: 4 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220

Pinbelegung des 2N6473

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum 2N6473 ist der 2N6475.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2N6473

Sie können den Transistor 2N6473 durch einen 2N6474, 2SD772, 2SD772A, 2SD792, 2SD792A, BD711, BD911, NTE291, TIP41D, TIP41E, TIP41F, TIP42D, TIP42E oder TIP42F ersetzen.
Wenn Sie einen Fehler finden, senden Sie bitte eine E-Mail an mail@el-component.com