Bipolartransistor 2SD1271-R

• Typ: NPN
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: 80 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: 130 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: 7 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 7 A
• Verlustleistung, max: 40 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 60 bis 120
• Übergangsfrequenz, min: 30 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-220F

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor 2SD1271-R kann eine Gleichstromverstärkung von 60 bis 120 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SD1271 liegt im Bereich von 60 bis 260, die des 2SD1271-P im Bereich von 130 bis 260, die des 2SD1271-Q im Bereich von 90 bis 180.Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SD1271-R-Transistor könnte nur mit "D1271-R" gekennzeichnet sein.Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SD1271-R ist der 2SB946-R.Sie können den Transistor 2SD1271-R durch einen 2N6488, 2N6488G, 2SC2334, 2SC2527, 2SD569, 2SD569-L, 2SD866, 2SD866-R, 2SD866A, 2SD866A-R, BD537, BD543B, BD543C, BD545B, BD545C, BD709, BD711, BD743B, BD743C, BD799, BD801, BD809, BD909, BD911, BDT83, BDT83F, BDT85, BDT85F, BDT87, BDT87F, BDT93, BDT93F, BDT95, BDT95F, BDX77, D44H11, D44H11FP, KSC2334, KSD569, KSD569-O, MJE15028, MJE15028G, MJE15030, MJE15030G, MJF15030 oder MJF15030G ersetzen.