Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SB1274R
Typ: PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max: -60 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: -60 V
Emitter-Basis-Spannung, max: -6 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -3 A
Verlustleistung, max: 20 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 100 bis 200
Übergangsfrequenz, min: 100 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-220
Pinbelegung des 2SB1274R
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SB1274R kann eine Gleichstromverstärkung von 100 bis 200 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB1274 liegt im Bereich von 70 bis 280, die des 2SB1274Q im Bereich von 70 bis 120, die des 2SB1274S im Bereich von 140 bis 280.
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB1274R-Transistor könnte nur mit "B1274R" gekennzeichnet sein.
Komplementärer NPN-Transistor
Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB1274R ist der 2SD1913R.
SMD-Version des Transistors 2SB1274R
Der BDP950 (SOT-223) ist die SMD-Version des 2SB1274R-Transistors.