Bipolartransistor 2SB747-P

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -80 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -80 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -5 A
• Verlustleistung, max: 40 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 100 bis 200
• Übergangsfrequenz, min: 7 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-220

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor 2SB747-P kann eine Gleichstromverstärkung von 100 bis 200 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB747 liegt im Bereich von 40 bis 200, die des 2SB747-Q im Bereich von 60 bis 120, die des 2SB747-R im Bereich von 40 bis 80.Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB747-P-Transistor könnte nur mit "B747-P" gekennzeichnet sein.Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB747-P ist der 2SD812-P.Der BDP952 (SOT-223) ist die SMD-Version des 2SB747-P-Transistors.Sie können den Transistor 2SB747-P durch einen 2SA1010, 2SA1010K, 2SA1077, 2SA1293, 2SA1308, 2SA1329, 2SA1388, 2SA1452, 2SA1452A, 2SA771, 2SB1016, 2SB1016A, 2SB1018, 2SB1018A, 2SB1367, 2SB595, 2SB633, 2SB633-E, 2SB708, 2SB708-Y, 2SB870, 2SB945, 2SB946, 2SB992, 2SB995, BD244B, BD244C, BD538, BD540B, BD540C, BD544B, BD544C, BD546B, BD546C, BD800, BD802, BD810, BD952, BD954, BD956, BDT84, BDT84F, BDT86, BDT86F, BDT88, BDT88F, BDT94, BDT94F, BDT96, BDT96F, BDX78, D45H11, D45H11FP, KSA1010, KSA1010Y, KSB708, KSB708-Y, KTA1038, KTA1049, KTB1367, MJE15029, MJE15029G, MJE15031, MJE15031G, MJF15031 oder MJF15031G ersetzen.