Bipolartransistor 2SB944

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SB944

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -80 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -130 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -7 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -4 A
  • Verlustleistung, max: 35 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 90 bis 260
  • Übergangsfrequenz, min: 30 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220F

Pinbelegung des 2SB944

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SB944 kann eine Gleichstromverstärkung von 90 bis 260 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB944-P liegt im Bereich von 130 bis 260, die des 2SB944-Q im Bereich von 90 bis 180.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB944-Transistor könnte nur mit "B944" gekennzeichnet sein.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB944 ist der 2SD1269.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SB944

Sie können den Transistor 2SB944 durch einen 2SA1488A, 2SA1634, 2SA1635, 2SA771, 2SB633, 2SB870, 2SB945, 2SB946, BD244B, BD244C, BD538, BD540B, BD540C, BD544B, BD544C, BD546B, BD546C, BD800, BD802, BD810, BD952, BD954, BD956, BDT84, BDT84F, BDT86, BDT86F, BDT88, BDT88F, BDX78, D44C10, D44C11, D44C12, D45C10, D45C11, D45C12, D45H11, D45H11FP, MJE15029, MJE15029G, MJE15031, MJE15031G, MJF15031 oder MJF15031G ersetzen.
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