Bipolartransistor 2SB703A-Q

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SB703A-Q

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -100 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -100 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -4 A
  • Verlustleistung, max: 40 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 100 bis 200
  • Übergangsfrequenz, min: 10 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220

Pinbelegung des 2SB703A-Q

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SB703A-Q kann eine Gleichstromverstärkung von 100 bis 200 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB703A liegt im Bereich von 40 bis 200, die des 2SB703A-R im Bereich von 60 bis 120, die des 2SB703A-S im Bereich von 40 bis 80.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB703A-Q-Transistor könnte nur mit "B703A-Q" gekennzeichnet sein.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB703A-Q ist der 2SD743A-Q.

SMD-Version des Transistors 2SB703A-Q

Der BDP954 (SOT-223) ist die SMD-Version des 2SB703A-Q-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SB703A-Q

Sie können den Transistor 2SB703A-Q durch einen 2SA1010, 2SA1010K, 2SA1077, 2SB1016, 2SB1016A, 2SB1090, 2SB1090-K, 2SB1367, 2SB595, 2SB995, BD244C, BD540C, BD544C, BD546C, BD802, BD954, BD956, BDT86, BDT86F, BDT88, BDT88F, BDT96, BDT96F, KSA1010, KSA1010Y, KTA1038, KTA1049, KTB1367, MJE15029, MJE15029G, MJE15031, MJE15031G, MJF15031 oder MJF15031G ersetzen.
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