Bipolartransistor KSB708-Y

Elektrische Eigenschaften des Transistors KSB708-Y

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -80 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -80 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -7 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -7 A
  • Verlustleistung, max: 40 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 100 bis 200
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220
  • Electrically Similar to the Popular 2SB708-Y transistor

Pinbelegung des KSB708-Y

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor KSB708-Y kann eine Gleichstromverstärkung von 100 bis 200 haben. Die Gleichstromverstärkung des KSB708 liegt im Bereich von 40 bis 200, die des KSB708-O im Bereich von 60 bis 120, die des KSB708-R im Bereich von 40 bis 80.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum KSB708-Y ist der KSD569-Y.

Ersatz und Äquivalent für Transistor KSB708-Y

Sie können den Transistor KSB708-Y durch einen 2SA1010, 2SA1010K, 2SA1077, 2SA1329, 2SA1452, 2SA1452A, 2SB1018, 2SB1018A, 2SB708, 2SB708-Y, 2SB870, 2SB946, 2SB992, BD538, BD544B, BD544C, BD546B, BD546C, BD800, BD802, BD810, BDT84, BDT84F, BDT86, BDT86F, BDT88, BDT88F, BDT94, BDT94F, BDT96, BDT96F, BDX78, D45H11, D45H11FP, KSA1010, KSA1010Y, MJE15029, MJE15029G, MJE15031, MJE15031G, MJF15031 oder MJF15031G ersetzen.
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