Bipolartransistor 2SB1018A

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SB1018A

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -80 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -100 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -7 A
  • Verlustleistung, max: 30 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 70 bis 240
  • Übergangsfrequenz, min: 10 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220F

Pinbelegung des 2SB1018A

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SB1018A kann eine Gleichstromverstärkung von 70 bis 240 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB1018A-O liegt im Bereich von 70 bis 140, die des 2SB1018A-Y im Bereich von 120 bis 240.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB1018A-Transistor könnte nur mit "B1018A" gekennzeichnet sein.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB1018A ist der 2SD1411A.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SB1018A

Sie können den Transistor 2SB1018A durch einen 2SA1329, 2SA1452, 2SA1452A, 2SB1018, 2SB870, 2SB946, 2SB992, BD538, BD544B, BD544C, BD546B, BD546C, BD800, BD802, BD810, BDT84, BDT84F, BDT86, BDT86F, BDT88, BDT88F, BDX78, D45H11, D45H11FP, MJE15029, MJE15029G, MJE15031, MJE15031G, MJF15031 oder MJF15031G ersetzen.
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