Bipolartransistor BDP950

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -60 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -60 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -3 A
• Verlustleistung, max: 3 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 85 bis 475
• Übergangsfrequenz, min: 100 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
• Gehäuse: SOT-223

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der BDP950-Transistor ist als "BDP950" gekennzeichnet.Der komplementäre NPN-Transistor zum BDP950 ist der BDP949.Sie können den Transistor BDP950 durch einen BDP952, BDP954, BDP956 oder NZT45H8 ersetzen.