Bipolartransistor 2SA1329

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SA1329

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -80 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -80 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -6 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -12 A
  • Verlustleistung, max: 40 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 70 bis 240
  • Übergangsfrequenz, min: 50 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220

Pinbelegung des 2SA1329

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SA1329 kann eine Gleichstromverstärkung von 70 bis 240 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SA1329-O liegt im Bereich von 70 bis 140, die des 2SA1329-Y im Bereich von 120 bis 240.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SA1329-Transistor könnte nur mit "A1329" gekennzeichnet sein.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SA1329 ist der 2SC3346.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SA1329

Sie können den Transistor 2SA1329 durch einen 2SA1452, 2SA1452A, BD546B, BD546C, BDT84, BDT84F, BDT86, BDT86F, BDT88 oder BDT88F ersetzen.
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